本书对碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性进行了研究.主要内容包括SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备、SiC/Si-VPA的场致发射性能研究、SiC/Si-NPA的光致发光性能研究、SiC/Si-NPA的气体传感性能研究等。
本书结构合理.条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作，可供相关人员参考使用。
目录
前言
第1章
绪论
1. 1 半导体材料的发展
1. 2 SiC半导体的基本性质
1. 3 SiC纳米材料的研究
1. 4 硅基复合体系
1. 5 本书的研究内容
第2章
SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备
2.
1 引言
2
.2 Si-NPA的制备和表征
2
.3 SiC纳米晶/Si-NPA的制备和表征
2.
4 SiC纳米线/Si-NPA的制备和表征
2.
5 小结
第3章
SiC/Si-NPA的场致发射性能研究
3.
1 引言
3.
2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3.
3 nw-SiC/ Si-NPA的场发射性能
3.
4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的场发射性能
3
.5 小结
第4章
SiC/Si-NPA的光致发光性能研究
4.
1 引言
4.
2 nw-SiC/Si-NPA的光致发光性能
4.3 nc-SiC/Si-NPA光致发光性能
4.
4 小结
第5章
SiC/Si-NPA的气体传感性能研究
5.
1 引言
5.
2 SiC基气体传感器
5.3 SiC/Si-NPA气体传感器的制备
5
.4 H2S气体传感器
5
.5 湿度传感器
5
.6 小结
结论与展望
参考文献
附录
书单推荐
