《半导体材料及器件的辐射效应》共11章，结合作者30多年的研究经验，从辐射环境及其相关半导体物理基础知识开始，详细介绍了各种半导体材料及器件的辐射效应机理和加固方案，并整理和分享了先进工艺辐射效应的研究动向。
《半导体材料及器件的辐射效应》内容全面、系统、精炼、易于理解，可作为高等院校相关课程的教材，也可供从事微电子、光电子研究和生产的科技人员参考。
半导体材料及器件的辐射效应研究，始于20世纪60年代初，起因是1962年在美国通信卫星Telstar上发现的损伤，以及后来诸多卫星和地面模拟试验中证实的半导体器件因空间电离辐射引起的损伤。随着空间技术及核技术的发展，所采用的半导体器件越来越多，出现的半导体材料及器件的辐射效应也越来越复杂。
经过几十年的不断研究，在半导体材料及器件的辐射效应研究方面，已取得了丰富的研究成果。人们已基本上认识了半导体材料及器件辐射效应的机理，而且在很大程度上可以在地面及实验室中，通过模拟试验并结合仿真技术，预估半导体器件在实际辐射环境中的应用风险。当判断了已有的半导体器件在实际辐射环境中的应用风险以后，可以通过对半导体材料及器件辐射效应机理的认识，在材料、器件设计以及器件工艺等方面进行改进，使器件加固到可以较有保障地应用在实际辐射环境中。
从上面的简单介绍我们可以看出，半导体材料及器件辐射效应的知识是十分重要的。它不仅可以使我们深刻地认识半导体材料及器件辐射效应方面多年的研究成果，从而在实际中帮助我们正确地选择合适的半导体器件，以避免在危险的辐射环境中造成电子系统的异常工作甚至损坏，同时，它也有助于从事半导体器件辐射加固研究方面的科技人员，去寻求科学的半导体器件辐射加固方法，制做出可靠的辐射加固半导体器件，从而使得半导体器件在苛刻的辐射环境中安全工作。
半导体材料及器件辐射效应涉及多方面的知识，包括辐射环境、核物理、半导体材料及器件物理、半导体材料及器件同辐射的相互作用、辐射效应的表征等。相关方面的文献及著作非常的多，它们的共同特点是专业性极强，对它们进行有限的阅读往往难以对半导体材料及器件辐射效应有一个较全面的认识。特别对于非专门从事半导体材料及器件辐射效应研究，但所从事的工作又需要较全面地了解半导体材料及器件辐射效应的科技人员以及研究生，这种状况是非常不利的。
第1章 辐射环境
1．1 引言
1．2 辐射环境的种类
1．2．1 空间环境
1．2．2 核环境
1．2．3 高能物理实验环境
1．2．4 器件制造引入的辐射环境
1．3 小结
第2章 辐射效应相关的半导体基础知识
2．1 引言
2．2 本征半导体及非本征半导体
2．2．1 半导体能带结构
2．2．2 本征半导体
2．2．3 非本征半导体
2．2．4 浅能级、深能级、杂质的补偿作用
2．3 半导体中载流子的产生及复合
2．3．1 载流子的产生
2．3．2 载流子的复合
2．4 载流子的迁移率
2．4．1 迁移率的特性
2．4．2 载流子的扩散系数
2．5 PN结二级管
2．6 肖特基结二极管
2．7 MOS电容及MOSFET
2．7．1 表面势
2．7．2 耗尽层
2．7．3 表面反型层
2．7．4 MOS电容
2．7．5 MOSFET
2．8 直接有辐射环境的半导体工艺
2．8．1 NMOSFET工艺流程
2．8．2 离子注入掺杂
2．8．3 干法刻蚀
2．9 小结
……
第3章 辐射效应的一般概念
第4章 半导体材料的辐射效应
第5章 Si半导体器件的辐射效应
第6章 GaAs半导体器件的辐射效应
第7章 光电子器件的辐射效应
第8章 Si集成电路的辐射效应及加固技术
第9章 纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术
第10章 半导体器件辐射效应的一些新研究动向
第11章 辐射效应模拟试验及测试技术
参考文献
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