|
关于我们
 书单推荐 新书推荐 |
集成电路器件抗辐射加固设计技术 
定 价：129 元
9 7 7 8 4 7 7 0 1 3 4 0 3 读者对象:本书可作为普通高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的"集成电路设计"、"容错计算"、"嵌入式系统设计"等课程的本科生和研究生教材，也可作为电路与系统研发工程师、芯片可靠性设计工程师以及集成电路容错爱好者的学习参考用书或培训教材。
本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前**研究成果和相关技术。
更多科学出版社服务，请扫码获取。 
你还可能感兴趣
我要评论
|
